IPI052NE7N3 G

Framleiðandi Vöru númer:

IPI052NE7N3 G

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPI052NE7N3 G-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Birgðir:

RFQ á netinu

12801027

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IPI052NE7N3 G Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

OptiMOS™

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

75 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 91µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

68 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

4750 pF @ 37.5 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

150W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

PG-TO262-3

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

IPI052N

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IPI052NE7N3 G-DG

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

500

Önnur nöfn

IPI052NE7N3G

IPI052NE7N3 G-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

IPC302N20NFDX1SA1

MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

infineon-technologies

IPD090N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N06S2L06ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD5N25S3430ATMA1

MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3